在識(shí)別過程中，內(nèi)容既可以讀出又可以寫入的電子標(biāo)簽，是可寫入式電子標(biāo)簽?？蓪懭胧诫娮訕?biāo)簽可以采用SRAM或FRAM存儲(chǔ)器。
 

　　1.靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，因此SRAM具有較高的性能。
 

　　2.鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)是一個(gè)非易失性隨機(jī)存取儲(chǔ)存器，能提供與 RAM 一致的性能，但又有與ROM一樣的非易失性。FRAM非易失性是指記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失，非易失性記憶體是源自ROM的技術(shù)。FRAM將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢(shì)結(jié)合在一起，這就使得FRAM產(chǎn)品既可以進(jìn)行非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，又可以像RAM一樣操作。
 

　　在可寫入式電子標(biāo)簽工作時(shí)，讀寫器可以將數(shù)據(jù)寫入電子標(biāo)簽。對(duì)電子標(biāo)簽的寫入與讀出大多是按字組進(jìn)行的，字組通常是規(guī)定數(shù)目的字節(jié)的匯總，字組一般作為整體讀出或?qū)懭?。為了修改一個(gè)數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容，必須從讀寫器整體讀出這個(gè)數(shù)據(jù)塊，對(duì)其修改，然后再重新整體將數(shù)據(jù)塊讀入。
 

　　可寫入式電子標(biāo)簽的存儲(chǔ)量，最少可以是1 B，最高可達(dá)64 KB。比較典型的電子標(biāo)簽是16 bit、幾十到幾百字節(jié)。
 

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