目前，發(fā)達國家在多種頻段都實現(xiàn)了電子標簽芯片的批量生產，無源微波電子標簽的工作距離可以超過1 m，無源超高頻電子標簽的工作距離可以達到5 m以上，模擬前端多采用了低功耗技術，功耗可以做到幾毫瓦，批量成本接近10美分。我國在低頻和高頻電子標簽芯片設計方面的技術比較成熟，已經自主開發(fā)出符合ISO/IEC 14443 A類、B類和ISO/IEC 15693標準的RFID芯片，并成功地應用于交通一卡通和中國第二代身份證等項目。

　　與國際先進水平相比，我國在RFID芯片設計方面仍存在的主要差距如下。

　　(1)國外在RFID芯片設計方面起步較早，并申請了許多技術專利;而國內起步較晚，在超高頻和微波頻段的RFID芯片設計方面的基礎還比較薄弱。

　　(2)在存儲器方面，發(fā)達國家已經開始使用標準CMOS工藝設計非揮發(fā)存儲器，使得電子標簽的所有模塊有可能在標準的CMOS工藝下制作完成，以降低生產成本;而國內在這方面還處于研究階段。

　　(3)電子標簽對成本比較敏感，芯片設計需要在模擬電路和數(shù)模混合電路設計方面具有豐富經驗的專業(yè)人才，而國內這方面技術力量相對薄弱。